1 / 3Samsung - Barrette/module mémoire vive RAM 512Mo - DDR2 - SO-DIMM - PC2-4200S - 533MHz - CL4 - 1.8V - Non-ECC - 2Rx16 - M470T6554CZ3-CD5 - TBEG Barrette de mémoire vive (RAM) de 512 Mo de marque Samsung de génération DDR2 (M470T6554CZ3-CD5 0606 / 512MB 2Rx16 PC2-4200S-444-12-A3). Il s'agit d'un composant conçu pour les ordinateurs portables du milieu des années 2000 (générations Intel Pentium M, Centrino ou les tout premiers Core Duo). • Capacité : 512 Mo (0,5 Go) • Format : SODIMM à 200 broches (exclusif aux ordinateurs portables de cette époque) • Fréquence d'horloge : 533 MHz • Norme de bande passante : PC2-4200S (DDR2-533) • Latence (Timings) : CL4 (Configuration 4-4-4) • Architecture : Dual Rank (2Rx16) • Tension d'alimentation : 1,8V • Gestion des erreurs : Non-ECC (Unbuffered) N'hésitez pas à me contacter pour toutes questions, demandes, précisions. Remise en mains propres ou livraison.
Samsung - Barrette/module mémoire vive RAM 512Mo - DDR2 - SO-DIMM - PC2-4200S - 533MHz - CL4 - 1.8V - Non-ECC - 2Rx16 - M470T6554CZ3-CD5 - TBEG Barrette de mémoire vive (RAM) de 512 Mo de marque Samsung de génération DDR2 (M470T6554CZ3-CD5 0606 / 512MB 2Rx16 PC2-4200S-444-12-A3). Il s'agit d'un composant conçu pour les ordinateurs portables du milieu des années 2000 (générations Intel Pentium M, Centrino ou les tout premiers Core Duo). • Capacité : 512 Mo (0,5 Go) • Format : SODIMM à 200 broches (exclusif aux ordinateurs portables de cette époque) • Fréquence d'horloge : 533 MHz • Norme de bande passante : PC2-4200S (DDR2-533) • Latence (Timings) : CL4 (Configuration 4-4-4) • Architecture : Dual Rank (2Rx16) • Tension d'alimentation : 1,8V • Gestion des erreurs : Non-ECC (Unbuffered) N'hésitez pas à me contacter pour toutes questions, demandes, précisions. Remise en mains propres ou livraison.
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